Relatório da Engineering Ceramic Co., (EC © ™):
Anunciado pela Comissão Nacional de Desenvolvimento e Reforma (NDRC), numa conferência de imprensa na segunda-feira, a China reservou 200 mil milhões de yuans (28 mil milhões de dólares) para projetos de investimento dos governos locais este ano, uma vez que prometeu cumprir as suas próprias metas ambiciosas de crescimento económico.
Esses projetos incluem a indústria de semicondutores como polimento químico-mecânico (CMP). No processo de fabricação de semicondutores, a superfície do chip precisa ser altamente plana para garantir o funcionamento normal do circuito. O polimento químico-mecânico é um processo fundamental para atingir esse objetivo.Óxido de cériotorna-se um abrasivo importante na pasta CMP devido às suas propriedades físicas e químicas únicas. A dispersão de óxido de nanocério tem forte oxidação em pastilhas de silício e pode formar uma camada de óxido muito fina na superfície da pastilha de silício. Isto não só contribui para melhorar a eficiência do polimento, mas também permite que a pastilha de silício obtenha uma rugosidade superficial muito baixa e torne a superfície do produto brilhante e obtenha um efeito de espelho.
Em comparação com outros materiais abrasivos comumente usados, a Engineering Ceramic Co., (EC © ™) produz um pó de óxido de cério especial que tem um efeito de polimento mais excelente. Ele pode remover com eficiência pequenas partículas, impurezas e partes irregulares na superfície do wafer de silício, melhorar o nivelamento e a pureza do wafer de silício e gerar menos calor e resíduos químicos durante o processo de polimento e causar menos danos aos materiais semicondutores.
Fórmula química: CeO2
Massa molar: 172,115 g/mol
Aparência: sólido branco ou amarelo pálido, ligeiramente higroscópico
Densidade: 7,215 g/cm3
Ponto de fusão: 2.400 °C (4.350 °F; 2.670 K)
Ponto de ebulição: 3.500 °C (6.330 °F; 3.770 K)
Solubilidade em água: insolúvel
Suscetibilidade magnética (χ): +26,0·10−6 cm3/mol
Estrutura cristalina: cúbica (fluorita)
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